為(wèi)了研究材料吸水的影响，测量了含不同缺陷(缺陷長(cháng)度60 m m)以及经过不同预处理(lǐ)样品的泄露電(diàn)流。预处理(lǐ)方法包括50℃干燥、蒸馏水中水煮24h和66h，以及水煮后重新(xīn)干燥(50℃)。在正常环境下进行试验，无人造雾，环境温度T=25℃±1，相对湿度RH=60％～70％。如果没有(yǒu)特殊说明，下面所得的泄露電(diàn)流都是在電(diàn)压稳定1 m in后测量的结果。

对以下进行试验的样品，当试验電(diàn)压低于29kV时，所有(yǒu)样品的泄露電(diàn)流均低于0.2 m A(图3)。泄漏電(diàn)流结果显示：含铜片缺陷的复合绝缘子在试验電(diàn)压约為(wèi)9kV时出现了内部局部放電(diàn)。而对于含木(mù片缺陷的样品，同样在试验電(diàn)压高于29kV时观察到内部局部放電(diàn)现象的发生。

经过水煮之后，样品的泄露電(diàn)流发生显著变化。对于经过24 h水煮的样品，含木(mù片与含區(qū)域脱粘的样品的泄露電(diàn)流值，分(fēn)别在试验電(diàn)压為(wèi)21 kV与25 kV时出现了明显的上升(图4)。而对于经过66 h水煮的样品，在所有(yǒu)样品中均出现了泄露電(diàn)流幅值的大幅升高(图5)

在试验过程中，当泄露電(diàn)流大幅度升高时．通过红外相机也可(kě)以观察到复合绝缘子样品表面温度上升，并且在缺陷位置附近出现局部发热点(图6、图7)。只有(yǒu)不含缺陷的完好的参照绝缘子的泄露電(diàn)流与表面温度分(fēn)布没有(yǒu)明显的变化。http://www.zhenghangsy.net